一种竹节状SiC纳米线及其制备方法
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摘要
本发明公开了一种竹节状SiC纳米线及其制备方法，其特征在于，所述的竹节状SiC纳米线具有周期性的波动直径，由两个交替的结构单元组成，一个是典型的正常尺寸直茎段、直径为80‑100nm，另一个是突出的结点段、直径为130‑160nm；将聚碳硅烷(PCS)、活性炭与二茂铁的混合粉末分别放置于双温区管式炉的前后温区主温区，将基体放置于后温区原料的后面，双温区分别以7‑9℃/min、10℃/min升至900‑1100℃、1250℃，保温2‑3h后随炉冷却至室温，即可得到竹节状SiC纳米线。本发明提供的制备工艺简单可行，所得的竹节状SiC纳米线纯度高、具有可调控的竹节形貌，解决了现有竹节状SiC纳米线制备工艺复杂、生长温度高、纯度低等问题。
基本信息
专利标题 ：
一种竹节状SiC纳米线及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN109607541A
申请号 ：
CN201910024987.3
公开（公告）日 ：
2019-04-12
申请日 ：
2019-01-07
授权号 ：
CN109607541B
授权日 ：
2022-06-03
发明人 ：
李斌斌毛帮笑黄海泉王兴邦袁小森
申请人 ：
南京航空航天大学
申请人地址 ：
江苏省南京市江宁区将军大道29号
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN201910024987.3
主分类号 ：
C01B32/977
IPC分类号 ：
C01B32/977 B82Y40/00
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C01
无机化学
C01B
非金属元素；其化合物
C01B32/00
碳；其化合物
C01B32/90
碳化物
C01B32/914
单一元素碳化物
C01B32/956
碳化硅
C01B32/963
通过含硅化合物制备
C01B32/977
通过含硅有机化合物制备
法律状态
2022-06-03 ：
授权
2019-05-07 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C01B 32/977
申请日 : 20190107
申请日 : 20190107
2019-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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