污染防护装置及参数确定方法、物镜防护系统、光刻机
授权
摘要

本发明公开了一种污染防护装置及参数确定方法、物镜防护系统、光刻机。该污染防护装置包括包括至少一组防护组件;待清洁物体与防护组件沿第一方向依次设置,且待清洁物体的待清洁表面靠近防护组件;防护组件包括至少一组清洁结构和至少一个对置物;同一防护组件中,清洁结构和对置物沿第二方向间隔排列;清洁结构中设置有供气通道;对置物、清洁结构和待清洁表面共同围成第一清洁气体传输通道,供气通道包括出风口,供气通道通过出风口与第一清洁气体传输通道连通;第一方向与第二方向交叉。本发明实施例提供的污染防护装置,可以避免污染物质与待清洁表面接触,同时保证第一清洁气体传输通道的光学透过率。

基本信息
专利标题 :
污染防护装置及参数确定方法、物镜防护系统、光刻机
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN111435221A
申请号 :
CN201910032440.8
公开(公告)日 :
2020-07-21
申请日 :
2019-01-14
授权号 :
CN111435221B
授权日 :
2022-04-01
发明人 :
龚辉张洪博张瑞平王锋
申请人 :
上海微电子装备(集团)股份有限公司
申请人地址 :
上海市浦东新区自由贸易试验区张东路1525号
代理机构 :
北京品源专利代理有限公司
代理人 :
孟金喆
优先权 :
CN201910032440.8
主分类号 :
G03F7/20
IPC分类号 :
G03F7/20  
相关图片
IPC结构图谱
G
G部——物理
G03
摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F
图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F7/00
图纹面,例如,印刷表面的照相制版如光刻工艺;图纹面照相制版用的材料,如:含光致抗蚀剂的材料;图纹面照相制版的专用设备
G03F7/20
曝光及其设备
法律状态
2022-04-01 :
授权
2020-08-14 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : G03F 7/20
申请日 : 20190114
2020-07-21 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN111435221A.PDF
PDF下载
  • 联系电话
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 联系 Q Q
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 关注微信
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 收藏
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332