无需助粘剂的瞬态胶带转印方法

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摘要

本发明公开了一种无需助粘剂的高效率和保真度的瞬态胶带转印法，主要解决现有基于PDMS的转印技术转印效率低、保真度低、操作难度大的问题。其实现方案是：1)在SOI基片上制备单晶硅薄膜；2)在单晶硅薄膜上制备光刻胶锚点，并对SOI基片的埋氧化层进行刻蚀；3)取用瞬态胶带拾取SOI基片上的单晶硅薄膜；4)将带有单晶硅薄膜的瞬态胶带与接收衬底耦合；5)将耦合后的体系放入丙酮溶液中浸泡后再捞出吹干去除其胶带溶解的残留物，完成高效率、高保真度的转印。本发明改变了传统的转印方式，增强了转印技术的可靠性，降低了工艺难度和成本，具有更高的转印效率与保真度，可用于异质集成芯片制作。

基本信息

专利标题：

无需助粘剂的瞬态胶带转印方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN109950142A

申请号：

CN201910224900.7

公开（公告）日：

2019-06-28

申请日：

2019-03-24

授权号：

CN109950142B

授权日：

2022-05-31

发明人：

张春福张家祺武毅畅陈大正张进成郝跃

申请人：

西安电子科技大学

申请人地址：

陕西省西安市太白南路2号

代理机构：

陕西电子工业专利中心

代理人：

王品华

优先权：

CN201910224900.7

主分类号：

H01L21/18

IPC分类号：

H01L21/18