具纠错电路的存储器
授权
摘要
本发明提供一种具纠错电路的存储器，包括：第一纠错电路，对第一部分数据执行纠错以产生一第一部分写入数据或一第一部分读出数据；第二纠错电路，对第二部分数据执行纠错以产生第二部分写入数据或第二部分读出数据；在写入模式中多个感测驱动电路分别接收第一部分写入数据的多个第一部分写入比特与第二部分写入数据的多个第二部分写入比特，各感测驱动电路使第一部分写入比特与第二部分写入比特结合以写入对应的存储单元行；在读出模式中多个感测驱动电路分别感测多个存储单元行的存储数据以产生多个第一部分读出数据与第二部分读出数据。
基本信息
专利标题 ：
具纠错电路的存储器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111913828A
申请号 ：
CN201910378762.8
公开（公告）日 ：
2020-11-10
申请日 ：
2019-05-08
授权号 ：
CN111913828B
授权日 ：
2022-05-31
发明人 ：
门脇卓也
申请人 ：
华邦电子股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾台中市大雅区科雅一路8号
代理机构 ：
北京同立钧成知识产权代理有限公司
代理人 ：
罗英
优先权 ：
CN201910378762.8
主分类号 ：
G06F11/10
IPC分类号 ：
G06F11/10 G11C16/08 G11C16/22 G11C16/24
IPC结构图谱
G
G部——物理
G06
计算；推算或计数
G06F
电数字数据处理
G06F11/00
错误检测；错误校正；监控
G06F11/07
响应错误的产生，例如，容错
G06F11/08
用数据表示中的冗余码作错误检测或校正，例如，应用校验码
G06F11/10
对编码信息添加特定的码或符号，例如，奇偶校验、除9或除11校验
法律状态
2022-05-31 ：
授权
2020-11-27 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G06F 11/10
申请日 : 20190508
申请日 : 20190508
2020-11-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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