一种二维钨基纳米片液晶的制备方法及利用其制备钨基纳米片电...
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摘要
一种二维钨基纳米片液晶的制备方法及利用其制备钨基纳米片电致变色薄膜材料的方法，它涉及一种钨基纳米片液晶的制备方法及利用其制备钨基纳米片电致变色薄膜材料的方法。本发明的目的是要解决现有方法难以制备二维钨基纳米片液晶的问题。二维钨基纳米片液晶的制备方法：一、制备质子交换反应后的层状材料；二、制备插层反应后的层状材料；三、机械剥离，得到二维钨基纳米片液晶。利用旋涂仪将二维钨基纳米片液晶旋涂到氧化铟锡导电玻璃上，再置于干燥箱中干燥，得到钨基纳米片电致变色薄膜材料。本发明可获得一种二维钨基纳米片液晶及钨基纳米片电致变色薄膜材料。
基本信息
专利标题 ：
一种二维钨基纳米片液晶的制备方法及利用其制备钨基纳米片电致变色薄膜材料的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110255620A
申请号 ：
CN201910386725.1
公开（公告）日 ：
2019-09-20
申请日 ：
2019-05-09
授权号 ：
CN110255620B
授权日 ：
2022-04-01
发明人 ：
赵九蓬王亚蕾郑远川李垚
申请人 ：
哈尔滨工业大学
申请人地址 ：
黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号
代理机构 ：
哈尔滨市松花江专利商标事务所
代理人 ：
岳泉清
优先权 ：
CN201910386725.1
主分类号 ：
C01G41/02
IPC分类号 ：
C01G41/02 B82Y40/00 C03C17/34
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C01
无机化学
C01G
含有不包含在C01D或C01F小类中之金属的化合物
C01G41/00
钨的化合物
C01G41/02
氧化物；氢氧化物
法律状态
2022-04-01 ：
授权
2019-10-22 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C01G 41/02
申请日 : 20190509
申请日 : 20190509
2019-09-20 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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