基于SIW-CSRR的用于测量介电常数的微波传感器
授权
摘要

本发明公开基于SIW‑CSRR的用于测量介电常数的微波传感器。本发明包括介质层、顶层金属层、底层金属层;顶层金属层刻槽有两个金属CSRR结构;上述两个金属CSRR结构由大小不同的两个开口环谐振器构成,其中开口环谐振器为开口槽环;较小开口环谐振器内嵌在较大开口环谐振器内;两个开口环谐振器的开口方向相反;较大开口环谐振器开口处至较小开口环谐振器的空间位置为电场强度最大、磁场强度最小的区域,该区域放置待测样品。本发明产品抗干扰能力更强,结构更简单,低成本,便于携带且该传感器的灵敏度和质量因子表现的很好,同时该新型微波谐振器的Q值达到786.5,很适用于精确测量磁介质材料的介电常数。

基本信息
专利标题 :
基于SIW-CSRR的用于测量介电常数的微波传感器
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN110531164A
申请号 :
CN201910766950.8
公开(公告)日 :
2019-12-03
申请日 :
2019-08-20
授权号 :
CN110531164B
授权日 :
2022-05-13
发明人 :
徐魁文姜浩段江波刘洋
申请人 :
杭州电子科技大学
申请人地址 :
浙江省杭州市下沙高教园区2号大街
代理机构 :
杭州君度专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 :
朱亚冠
优先权 :
CN201910766950.8
主分类号 :
G01R27/26
IPC分类号 :
G01R27/26  
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量;测试
G01R
测量电变量;测量磁变量
G01R27/00
测量电阻、电抗、阻抗或其派生特性的装置
G01R27/02
电阻、电抗、阻抗或其派生的其他两端特性,例如时间常数的实值或复值测量
G01R27/26
电感或电容的测量;品质因数的测量,例如通过应用谐振法;损失因数的测量;介电常数的测量
法律状态
2022-05-13 :
授权
2019-12-27 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : G01R 27/26
申请日 : 20190820
2019-12-03 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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