暴露高指数面的氧化铁十二面体纳米晶体催化剂的制备方法

授权

摘要

本发明公开了暴露高指数面的氧化铁十二面体纳米晶体催化剂的制备方法。本发明先合成氧化铁类立方体，然后利用不同的酸作为化学刻饰剂，对前期合成的具有不同形貌的氧化铁类立方体进行刻饰，对其形貌进行二次修饰，将{1 0 10}面这种极为特殊的晶面引入这些纳米颗粒。由于母晶的形貌、尺寸、刻蚀时间等的不同，所得的纳米颗粒形态也不相同。本发明将“自下而上”和“自上而下”两种策略相结合，用于调控氧化铁的形貌。这两种策略均是合成中常用策略，基于这两种策略中热力学有利的方向控制晶体生长，得到了主要暴露{1 0 10}面的氧化铁纳米晶体，得到的纳米晶体形貌均一，且具有优异的电化学性能。

基本信息

专利标题：

暴露高指数面的氧化铁十二面体纳米晶体催化剂的制备方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN110639521A

申请号：

CN201910935771.2

公开（公告）日：

2020-01-03

申请日：

2019-09-29

授权号：

CN110639521B

授权日：

2022-05-17

发明人：

王聪慧朱传铭黎俊吴生焘刘平乐潘玉坤

申请人：

湘潭大学

申请人地址：

湖南省湘潭市雨湖区羊牯塘27号

代理机构：

湘潭市汇智专利事务所(普通合伙)

代理人：

冷玉萍

优先权：

CN201910935771.2

主分类号：

B01J23/745

IPC分类号：

B01J23/745 B01J35/10