一种采用不同材料DBR提高亮度的GaAs基LED及其制备...
授权
摘要
本发明涉及一种采用不同材料DBR提高亮度的GaAs基LED及其制备方法，该LED包括AlGaAs复合吸收材料DBR、Alx8Ga1‑x8InP晶格过渡层和AlGaInP复合透明材料DBR，AlGaAs复合吸收材料DBR由Alx4Ga1‑x4As层和Alx5Ga1‑x5As层交替生长组成，AlGaInP复合透明材料DBR由Alx6Ga1‑x6InP层和Alx7Ga1‑x7InP层交替生长组成。本发明中采用不同材料的AlGaAs复合吸收材料DBR与AlGaInP复合透明材料DBR，可以拓展反射图谱的宽度，提升非法线方向入射的光的反射率，从而能够提高LED的发光效率。
基本信息
专利标题 ：
一种采用不同材料DBR提高亮度的GaAs基LED及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112652685A
申请号 ：
CN201910961544.7
公开（公告）日 ：
2021-04-13
申请日 ：
2019-10-11
授权号 ：
CN112652685B
授权日 ：
2022-05-10
发明人 ：
李志虎张新王成新徐现刚
申请人 ：
山东华光光电子股份有限公司
申请人地址 ：
山东省济南市历下区高新区天辰大街1835号
代理机构 ：
济南金迪知识产权代理有限公司
代理人 ：
赵龙群
优先权 ：
CN201910961544.7
主分类号 ：
H01L33/10
IPC分类号 ：
H01L33/10 H01L33/30 H01L33/00
法律状态
2022-05-10 ：
授权
2021-04-30 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 33/10
申请日 : 20191011
申请日 : 20191011
2021-04-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
