阵列基板及其制备方法、显示装置

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摘要

本发明公开了一种阵列基板及其制备方法、显示装置，阵列基板包括薄膜晶体管结构层；以及公共电极层设于薄膜晶体管结构层上；第一开孔设于公共电极层上；钝化层覆于公共电极层上且填充于第一开孔；像素电极层覆于钝化层上并穿过钝化层和第一开孔连接至薄膜晶体管结构层；开口从像素电极层延伸至公共电极层的表面；第一填充层覆于公共电极层、像素电极层上并填充于开口；所述钝化层的光的透过率小于所述第一填充层的光的透过率。本发明的阵列基板及其制备方法、显示装置，提高了阵列基板整体透过率。

基本信息

专利标题：

阵列基板及其制备方法、显示装置

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN110828476A

申请号：

CN201910981809.X

公开（公告）日：

2020-02-21

申请日：

2019-10-16

授权号：

CN110828476B

授权日：

2022-04-05

发明人：

肖军城艾飞罗成志

申请人：

武汉华星光电技术有限公司

申请人地址：

湖北省武汉市东湖开发区高新大道666号生物城C5栋

代理机构：

深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙)

代理人：

李汉亮

优先权：

CN201910981809.X

主分类号：

H01L27/12

IPC分类号：

H01L27/12 H01L21/77 G02F1/1333 G02F1/1362