阵列基板的制备方法、阵列基板以及显示装置
实质审查的生效
摘要
本申请提供一种阵列基板的制备方法、阵列基板以及显示装置,制备方法包括:提供一驱动电路层,驱动电路层包括设有第一过孔的平坦化层;在设有第一过孔的平坦化层上形成依次形成公共电极层和接触电极层;在接触电极层上形成光阻层;对光阻层、公共电极层以及接触电极层进行图案化处理,形成第二过孔,第一过孔和第二过孔连通;剥离光阻层;在公共电极层、接触电极层以及平坦化层上形成第一绝缘层和像素电极层。本申请的制备方法通过仅增加一次铜刻蚀工艺,减少一次光阻涂布和一次光阻剥离工艺,从而在公共电极层和接触电极层在形成图案化时,仅需采用一道黄光工艺,从而可以有利于提高整个阵列基板制程的产能,进而有利于实现成本节约和产能提高。
基本信息
专利标题 :
阵列基板的制备方法、阵列基板以及显示装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114551349A
申请号 :
CN202210126349.4
公开(公告)日 :
2022-05-27
申请日 :
2022-02-10
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
张羿葛世民
申请人 :
广州华星光电半导体显示技术有限公司
申请人地址 :
广东省广州市黄埔区(中新广州知识城)亿创街1号406房之417
代理机构 :
深圳紫藤知识产权代理有限公司
代理人 :
熊明
优先权 :
CN202210126349.4
主分类号 :
H01L21/77
IPC分类号 :
H01L21/77 H01L27/12
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
法律状态
2022-06-14 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/77
申请日 : 20220210
申请日 : 20220210
2022-05-27 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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