TFT基板及其制备方法、显示装置

授权

摘要

本发明公开了一种TFT基板及其制备方法、显示装置，其可以使得背沟道蚀刻‑氧化铟镓锌型TFT基板中的铜膜层的线宽更细，从而能够应用于解析度更高的布线，同时通过NF3和O2刻蚀气体对作为沟道底层的钼膜层进行干刻蚀，以防止氧化铟镓锌膜层受到损伤。

基本信息

专利标题：

TFT基板及其制备方法、显示装置

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN110676266A

申请号：

CN201910912284.4

公开（公告）日：

2020-01-10

申请日：

2019-09-25

授权号：

CN110676266B

授权日：

2022-05-27

发明人：

章仟益

申请人：

深圳市华星光电技术有限公司

申请人地址：

广东省深圳市光明新区塘明大道9-2号

代理机构：

深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙)

代理人：

汪阮磊

优先权：

CN201910912284.4

主分类号：

H01L27/12

IPC分类号：

H01L27/12 H01L21/77

法律状态

2022-05-27 ：

授权

2021-02-26 ：

著录事项变更

IPC(主分类) : H01L 27/12
变更事项 : 申请人
变更前 : 深圳市华星光电技术有限公司
变更后 : TCL华星光电技术有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 518132 广东省深圳市光明新区塘明大道9-2号
变更后 : 518132 广东省深圳市光明新区塘明大道9-2号

2020-02-11 ：

实质审查的生效

IPC(主分类) : H01L 27/12
申请日 : 20190925

2020-01-10 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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