一种IGBT动态参数测试平台的杂散电容获取方法
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摘要

本发明公开了一种IGBT动态参数测试平台的杂散电容获取方法,通过分析提取IGBT动态参数测试平台所涉及的杂散电容;根据包含杂散电容测试电路的等效电路图,计算在IGBT的关断过程中杂散电容的电流分量;根据电流分量获取IGBT关断瞬态过程中实测电流与理想电流的差值;利用IGBT关断瞬态过程,获得实测电流与理想电流的差值与杂散电容、IGBT集射极电压变化率之间的关联关系;根据关联关系计算IGBT动态参数测试平台的杂散电容值。本发明基于IGBT器件的关断瞬态波形,利用瞬态电压变化率和电流变化量,通过实测的方法计算动态测试平台的杂散电容,为准确评估器件的动态性能,提供可靠的动态数据奠定基础。

基本信息
专利标题 :
一种IGBT动态参数测试平台的杂散电容获取方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN110824321A
申请号 :
CN201911025441.6
公开(公告)日 :
2020-02-21
申请日 :
2019-10-25
授权号 :
CN110824321B
授权日 :
2022-04-05
发明人 :
唐新灵张喆林仲康王亮李现兵张朋韩荣刚石浩
申请人 :
全球能源互联网研究院有限公司;国网山东省电力公司电力科学研究院;国家电网有限公司
申请人地址 :
北京市昌平区未来科技城滨河大道18号
代理机构 :
北京三聚阳光知识产权代理有限公司
代理人 :
张琳琳
优先权 :
CN201911025441.6
主分类号 :
G01R31/26
IPC分类号 :
G01R31/26  
相关图片
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量;测试
G01R
测量电变量;测量磁变量
G01R31/26
•单个半导体器件的测试
法律状态
2022-04-05 :
授权
2020-03-17 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : G01R 31/26
申请日 : 20191025
2020-02-21 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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