纳米材料及其制备方法、量子点发光二极管
授权
摘要
本发明提供了一种纳米材料，所述纳米材料包括V2O5纳米颗粒以及掺杂在V2O5纳米颗粒晶格中的S元素和Zn元素。本发明提供的纳米材料，提高了V2O5纳米颗粒的p型性能，提高了空穴传输能力，作为量子点发光二极管的空穴传输层材料时，能够促进电子‑空穴在发光层中有效地复合，降低激子累积对发光器件性能的影响，提高发光器件的显示性能。
基本信息
专利标题 ：
纳米材料及其制备方法、量子点发光二极管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113044882A
申请号 ：
CN201911376456.7
公开（公告）日 ：
2021-06-29
申请日 ：
2019-12-27
授权号 ：
CN113044882B
授权日 ：
2022-06-10
发明人 ：
何斯纳吴龙佳吴劲衡
申请人 ：
TCL集团股份有限公司
申请人地址 ：
广东省惠州市仲恺高新技术开发区十九号小区
代理机构 ：
深圳中一联合知识产权代理有限公司
代理人 ：
黄志云
优先权 ：
CN201911376456.7
主分类号 ：
C01G31/02
IPC分类号 ：
C01G31/02 H01L51/50 H01L51/54 B82Y30/00
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C01
无机化学
C01G
含有不包含在C01D或C01F小类中之金属的化合物
C01G31/00
钒的化合物
C01G31/02
氧化物
法律状态
2022-06-10 ：
授权
2022-06-03 ：
著录事项变更
IPC(主分类) : C01G 31/02
变更事项 : 申请人
变更前 : TCL集团股份有限公司
变更后 : TCL科技集团股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 516006 广东省惠州市仲恺高新技术开发区十九号小区
变更后 : 516006 广东省惠州市仲恺高新区惠风三路17号TCL科技大厦
变更事项 : 申请人
变更前 : TCL集团股份有限公司
变更后 : TCL科技集团股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 516006 广东省惠州市仲恺高新技术开发区十九号小区
变更后 : 516006 广东省惠州市仲恺高新区惠风三路17号TCL科技大厦
2021-07-16 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C01G 31/02
申请日 : 20191227
申请日 : 20191227
2021-06-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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