纳米材料及其制备方法和量子点发光二极管
实质审查的生效
摘要
本发明公开一种纳米材料及其制备方法与量子点发光二极管，所述纳米材料的制备方法，包括步骤：将钛盐、掺杂金属盐与硫源溶解于水中，进行水热反应，得到包括TiS2纳米颗粒和掺杂于所述TiS2纳米颗粒中的掺杂金属元素的纳米材料；其中掺杂金属元素的价态大于正四价。本发明在TiS2中掺入价态大于正四价的掺杂金属元素后，会使TiS2的载流子浓度增加，电阻率降低，提高电子传输能力，促进电子与空穴在量子点发光层有效地复合，从而提高量子点发光二极管的发光效率。另外，本发明制备单一金属元素掺杂TiS2纳米材料的方法十分简单，适合大面积、大规模制备。
基本信息
专利标题 ：
纳米材料及其制备方法和量子点发光二极管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114520295A
申请号 ：
CN202011307741.6
公开（公告）日 ：
2022-05-20
申请日 ：
2020-11-19
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
何斯纳吴龙佳吴劲衡
申请人 ：
TCL科技集团股份有限公司
申请人地址 ：
广东省惠州市仲恺高新区惠风三路17号TCL科技大厦
代理机构 ：
深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
刘芙蓉
优先权 ：
CN202011307741.6
主分类号 ：
H01L51/50
IPC分类号 ：
H01L51/50 H01L51/54 H01L51/56 B82Y30/00 B82Y40/00
法律状态
2022-06-07 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 51/50
申请日 : 20201119
申请日 : 20201119
2022-05-20 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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