一种SiC涂层及其制备方法
授权
摘要
本发明提供了一种SiC涂层及其制备方法，该涂层通过CVD方法制备，其中，采用铝原子和磷原子进行掺杂，其中铝原子掺杂浓度为0.8×1018cm‑3至1.1×1018cm‑3、铝原子浓度与磷原子浓度为比例为0.05‑0.1，所述涂层电阻率达到2×106Ω·cm~4×106Ω·cm。本发明的有益效果是：该方法制备方法简单，制备的SiC涂层能够获得106Ω·cm以上的高电阻率。
基本信息
专利标题 ：
一种SiC涂层及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111139454A
申请号 ：
CN201911393224.2
公开（公告）日 ：
2020-05-12
申请日 ：
2019-12-30
授权号 ：
CN111139454B
授权日 ：
2022-05-10
发明人 ：
林培英朱佰喜雷宏涛
申请人 ：
东莞市志橙半导体材料有限公司
申请人地址 ：
广东省东莞市桥头镇朗夏村华夏一环路5号V栋
代理机构 ：
深圳市添源知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
黎健任
优先权 ：
CN201911393224.2
主分类号 ：
C23C16/32
IPC分类号 ：
C23C16/32 C23C16/455
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/22
以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C16/30
沉积化合物、混合物或固溶体，例如硼化物、碳化物、氮化物
C23C16/32
碳化物
法律状态
2022-05-10 ：
授权
2020-06-05 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C23C 16/32
申请日 : 20191230
申请日 : 20191230
2020-05-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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