一种平面靶材
授权
摘要
本实用新型提供了一种平面靶材，包括背板、设于所述背板上的靶材组和设于所述靶材组上的压条，所述靶材组通过所述压条可拆卸固定于所述背板上；所述靶材组包括多个成多列多行布置的子靶材，所述子靶材的行数为二的倍数且使得靶材组对应于所述背板中线形成上下对称的布置。本实用新型提供的平面靶材通过设置由成多列多行布置且能替换位置的子靶材组成的靶材组，且靶材组可拆卸固定于所述背板上，子靶材的行数为二的倍数且使得靶材组对应于所述背板中线形成上下对称的布置，从而因磁场强度原因造成不同位置上的子靶材消耗不同时，可以将子靶材位置进行替换，从而有效提高了利用率，降低了生产成本。
基本信息
专利标题 ：
一种平面靶材
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920409388.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-03-28
授权号 ：
CN209741264U
授权日 ：
2019-12-06
发明人 ：
沈登涛曾一鑫
申请人 ：
信元光电有限公司
申请人地址 ：
广东省汕尾市城区信利工业城26栋4楼
代理机构 ：
广州粤高专利商标代理有限公司
代理人 ：
廖苑滨
优先权 ：
CN201920409388.9
主分类号 ：
C23C14/35
IPC分类号 ：
C23C14/35
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/34
溅射
C23C14/35
利用磁场的，例如磁控溅射
法律状态
2019-12-06 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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