一种电阻法碳化硅长晶设备水系统结构
授权
摘要
本实用新型公开了一种电阻法碳化硅长晶设备水系统结构,包括防护侧板,所述防护侧板的底端外表面靠近四角位置均固定安装有支撑滑道,四个所述支撑滑道之间通过螺栓固定安装有安装板,且信息反馈处理箱的底端外表面固定安装有两个信息反馈处理箱。本实用新型所述的一种电阻法碳化硅长晶设备水系统结构,对水路系统进行合理的安装与摆放,使得水路系统整体的结构更加紧密,能够更加充分的利用空间,从而减少设备的空间,在防护侧板的底端安装四个支撑滑道,将引导柱安装在碳化硅电阻法设备的一侧,使得水路系统能够与碳化硅电阻法设备相对滑动,方便将水路系统从碳化硅电阻法设备的一侧拉出,当修理时,同时手动将水路系统向外拉,便可以对水路系统进行更换与修理。
基本信息
专利标题 :
一种电阻法碳化硅长晶设备水系统结构
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201920462324.5
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-04-08
授权号 :
CN209779043U
授权日 :
2019-12-13
发明人 :
周元辉刘春艳张明福胡春霞刘洪亮刘洪涛范子龙高雅蕾姜树炎
申请人 :
苏州优晶光电科技有限公司
申请人地址 :
江苏省苏州市张家港市凤凰镇开发区(韩国工业园区友谊路)
代理机构 :
北京兴智翔达知识产权代理有限公司
代理人 :
蒋常雪
优先权 :
CN201920462324.5
主分类号 :
C30B29/36
IPC分类号 :
C30B29/36 C30B35/00
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/10
无机化合物或组合物
C30B29/36
碳化物
法律状态
2019-12-13 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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