一种电阻法碳化硅长晶设备石墨电阻加热装置
授权
摘要
本实用新型公开了一种电阻法碳化硅长晶设备石墨电阻加热装置，包括正极接线柱与负极接线柱，所述正极接线柱与负极接线柱之间靠近底端位置固定安装有多个螺旋石墨电阻片。本实用新型所述的一种电阻法碳化硅长晶设备石墨电阻加热装置，过将原有的条形石墨电阻片改成螺旋石墨电阻片，在螺旋石墨电阻片通电时，既能通过螺旋石墨电阻片本身通电发热，还能够将形成螺旋磁场进一步的对内部的物质进行加热，其次，由于螺旋石墨电阻片为螺旋状，在受到自身的磁场影响时径向涡流无法积累，因此不易变形，径向温度相对稳定，便于控制晶体所需的温度，通过在螺旋石墨电阻片内部安装网状电阻丝，能够在螺旋石墨电阻片发生破碎时进行临时粘连。
基本信息
专利标题 ：
一种电阻法碳化硅长晶设备石墨电阻加热装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920461838.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-04-08
授权号 ：
CN209836366U
授权日 ：
2019-12-24
发明人 ：
周元辉刘春艳张明福胡春霞刘洪亮刘洪涛范子龙高雅蕾姜树炎
申请人 ：
苏州优晶光电科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市张家港市凤凰镇开发区（韩国工业园区友谊路）
代理机构 ：
北京兴智翔达知识产权代理有限公司
代理人 ：
蒋常雪
优先权 ：
CN201920461838.9
主分类号 ：
C30B15/14
IPC分类号 ：
C30B15/14 C30B29/36
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
C30B15/14
熔融液或已结晶化材料的加热
法律状态
2019-12-24 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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