一种高效率的碳化硅长晶装置
授权
摘要
本申请公开一种高效率的碳化硅长晶装置，属于晶体制备领域。该高效率的碳化硅长晶装置，包括：炉体；保温层，所述保温层设置在所述炉体内；坩埚，所述坩埚设置在所述保温层内部，所述坩埚内包括原料区和长晶区，所述保温层和所述坩埚的顶部形成产品区；籽晶托，所述籽晶托用于固定籽晶，所述籽晶托设置在所述长晶区；驱动机构，所述驱动机构用于驱动所述籽晶托旋转，以使所述籽晶的长晶面朝向所述原料区。该长晶装置单炉次可产出两块晶体，提高了生产效率，节约了生产成本。
基本信息
专利标题 ：
一种高效率的碳化硅长晶装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021385584.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-07-14
授权号 ：
CN213142287U
授权日 ：
2021-05-07
发明人 ：
刘星柏文文张亮邱兴鲁李鹏徐伟强
申请人 ：
山东天岳先进科技股份有限公司
申请人地址 ：
山东省济南市槐荫区天岳南路99号
代理机构 ：
北京君慧知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
刘德顺
优先权 ：
CN202021385584.6
主分类号 ：
C30B29/36
IPC分类号 ：
C30B29/36 C30B23/00
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/10
无机化合物或组合物
C30B29/36
碳化物
法律状态
2021-05-07 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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