本申请公开了一种长晶装置，属于半导体材料领域。该长晶装置的保温层包括至于坩埚上方的上保温层组，上保温层组设置测温孔，上保温层组包括共中心轴的第一上保温层和第二上保温层，第一上保温层设置第一开口，第二上保温层设置第二开口，测温孔使坩埚内形成盛放原料的低温区和设置籽晶的高温区；包括旋转调节机构，旋转调节机构旋转第一上保温层和/或第二上保温层，以调节第一开口和第二开口形成的测温孔的横截面积大小，进而调节长晶过程中坩埚内轴向温度梯度和径向温度梯度。该长晶装置不仅可以调节生长单晶的生长腔内径向温度梯度；并且可以在降低径向温度梯度的同时，可以保证具有一定的轴向温度梯度，而可以高效率的制得高质量的单晶。