一种用于长晶的装置
授权
摘要
本实用新型公开了一种用于长晶的装置，主要用于泡生法生长蓝宝石，具有长晶坩埚和坩埚盖板，长晶坩埚内侧具有增大的倒角，装有高温蓝宝石熔体，坩埚盖板盖在坩埚上，倒角设计可以有效改善底部坩埚传热，提高坩埚壁温度，降低晶体后期生长速度，减少晶体后期贴锅，有效提升大公斤级晶体收尾阶段坩埚与晶体分离的概率，提升晶体的质量，还可以减少坩埚制作的原材料，降低坩埚铸造成本。
基本信息
专利标题 ：
一种用于长晶的装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922199512.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-12-10
授权号 ：
CN212451741U
授权日 ：
2021-02-02
发明人 ：
余剑云陈建明林仲和齐凡
申请人 ：
福建晶安光电有限公司
申请人地址 ：
福建省泉州市安溪县湖头镇横山村光电产业园
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN201922199512.6
主分类号 ：
C30B17/00
IPC分类号 ：
C30B17/00 C30B29/20
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B17/00
生长期间籽晶保留在熔融液中的单晶生长，例如Necken-Kyropoulos法
法律状态
2021-02-02 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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