中子捕获治疗系统及用于中子捕获治疗系统的射束整形体

授权

摘要

一种中子捕获治疗系统及用于中子捕获治疗系统的射束整形体，能够防止射束整形体材料本身变形损坏，改善中子射源的通量与品质。本实用新型的中子捕获治疗系统，包括中子产生装置和射束整形体，中子产生装置包括加速器和靶材，加速器加速产生的带电粒子线与靶材作用产生中子，中子形成中子束，中子束限定一根主轴，射束整形体包括用于支撑所述射束整形体的支撑部，所述支撑部包括围绕所述主轴的壁，所述基本部分和补充部分的材料不同并由所述壁间隔开。

基本信息

专利标题：

中子捕获治疗系统及用于中子捕获治疗系统的射束整形体

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN201920520437.6

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2019-04-17

授权号：

CN210728447U

授权日：

2020-06-12

发明人：

陈韦霖江涛

申请人：

中硼（厦门）医疗器械有限公司

申请人地址：

福建省厦门市海沧区翁角西路2036号

代理机构：

代理人：

优先权：

CN201920520437.6

主分类号：

A61N5/10

IPC分类号：

A61N5/10