中子捕获治疗系统

授权

摘要

本实用新型提供一种中子捕获治疗系统，可以避免或降低在屏蔽壁或地板由组件或元件穿过的地方造成的中子及其他辐射线的泄漏。本实用新型的中子捕获治疗系统，包括加速器、射束传输部、中子束生成部，所述中子捕获治疗系统还包括容纳所述加速器、射束传输部、中子束生成部的屏蔽壁，在所述屏蔽壁朝向射束传输方向上游的一侧由所述射束传输部或所述中子束生成部穿过的部位设置屏蔽体，所述屏蔽体为可移动的并具有第一位置和第二位置，在所述第一位置，形成所述射束传输部穿过的容纳孔，在所述第二位置，所述容纳孔打开。

基本信息

专利标题：

中子捕获治疗系统

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202020339782.2

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-03-18

授权号：

CN213159020U

授权日：

2021-05-11

发明人：

陈韦霖伍盛煜

申请人：

中硼（厦门）医疗器械有限公司

申请人地址：

福建省厦门市海沧区翁角西路2036号

代理机构：

代理人：

优先权：

CN202020339782.2

主分类号：

A61N5/10

IPC分类号：

A61N5/10