一种1140V高压可控硅功率控制器
授权
摘要
本实用新型公开了一种1140V高压可控硅功率控制器，包括壳体和内置于壳体中的散热风冷单元和控制板组件，所述控制板组件包括控制板，设置于控制板上的主电源、1140V三相负载电源、互感器，本实用新型的有益效果在于：采用微机技术，用PIC18F45K22单片机为控制核心，通过脉冲变压器两个一组分别耦接于可控硅模块和微处理器之间，实现六路脉冲变压器触发，使电路起控电压变低，不会引起冲击电流过大，稳定性良好，并且采用散热冷风单元配合功率电阻解决了，电压过高，发热过大，散热不易的问题，同时为了限制电路电压上升率过大,确保可控硅模块安全运行,在可控硅两端并联RC阻容吸收器来滤除谐波，有效地提高产品的稳定性。
基本信息
专利标题 ：
一种1140V高压可控硅功率控制器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920667626.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-05-10
授权号 ：
CN209982317U
授权日 ：
2020-01-21
发明人 ：
马贤平
申请人 ：
上海磊强实业有限公司
申请人地址 ：
上海市普陀区真光路1473弄3号6层6313室
代理机构 ：
杭州君度专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
黄前泽
优先权 ：
CN201920667626.6
主分类号 ：
H02M1/00
IPC分类号 ：
H02M1/00 H05K7/20
法律状态
2020-01-21 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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