一种大功率可控硅
授权
摘要
本实用新型提出一种适用插接或贴片方式的大功率可控硅，其具体是通过下以技术手段实现：大功率可控硅包括封装体、散热底板和若干引脚，该若干引脚与封装体内的电路连接，该引脚包括引出段、弯折段和连接段，该连接段的底部接触面与封装体的背面持平，该散热底板由封装体上不具备引脚的一面伸出，且其背面与封装体的背面持平。本实用新型改变传统的器件的引脚结构，通过弯折设计使引脚与封装体背面持平，从而可以实现将器件贴放于电路板上，整体上控制了可控硅所占空间，让器件的安装更为稳固、电路板设置更为灵活，而且还可以通过散热底板与电路板接触解决散热问题。此外，引脚的连接段仍然兼容传统的插接方式，应用面更广。
基本信息
专利标题 ：
一种大功率可控硅
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122673119.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-11-03
授权号 ：
CN216213455U
授权日 ：
2022-04-05
发明人 ：
周国平高瑜曾贺
申请人 ：
中山市君创电子科技有限公司
申请人地址 ：
广东省中山市东凤镇东阜四路59号厂房之二
代理机构 ：
中山市捷凯专利商标代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
杨连华
优先权 ：
CN202122673119.3
主分类号 ：
H01L27/02
IPC分类号 ：
H01L27/02 H01L23/488 H01L23/367 H05K1/18
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
法律状态
2022-04-05 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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