一种高压大功率可控硅组件结构
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
一种高压大功率可控硅组件结构，它用于各种使用可控硅的高压大功率逆变电或整流装置中。该结构是用正负极板把可控硅夹持其间，并把可控硅驱动电路也装在其间，可控硅驱动电路通过光缆中的光信号进行控制。把高压部分做成一个整体，可以放置在所接电力设备的近旁，解决了强电部分对弱电部分的干扰问题，也简化了控制室与控制柜的绝缘设计。
基本信息
专利标题 ：
一种高压大功率可控硅组件结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN89214316.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
1989-07-26
授权号 ：
CN2049841U
授权日 ：
1989-12-20
发明人 ：
石行
申请人 ：
北京市西城新开通用试验厂
申请人地址 ：
北京市西单辟才胡同80号100032
代理机构 ：
三友专利事务所
代理人 ：
朱黎光
优先权 ：
CN89214316.9
主分类号 ：
H02M1/00
IPC分类号 ：
H02M1/00 H05K13/00
法律状态
1994-06-15 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1990-07-11 ：
授权
1989-12-20 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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