一种红外锗单晶径向电阻率检测装置
授权
摘要
本实用新型公开了一种红外锗单晶径向电阻率检测装置,包括壳体以及安装在壳体内部中间位置的挡板,所述壳体顶部中间位置开设有第一开槽,所述壳体一侧开设有第二开槽,所述第二开槽底部开设有限位孔,所述挡板两侧均设置有第一压缩弹簧,所述第一压缩弹簧远离挡板一端均安装有限位机构,所述限位机构包括第一滑槽、底板、限位板以及检测针。本实用新型通过移动限位板,进而使得第一压缩弹簧发生形变,通过第一压缩弹簧的弹力将不同直径的红外锗单晶紧紧固定在限位板之间,同时由于检测针与限位板之间的固定关系,进而使得挡板两侧的检测针一直处于对称位置,进而方便测出红外锗单晶的径向电阻率,使得整个检测过程简单便捷,提高工作效率。
基本信息
专利标题 :
一种红外锗单晶径向电阻率检测装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201920708893.3
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-05-17
授权号 :
CN210347769U
授权日 :
2020-04-17
发明人 :
王卿伟郭友林陈仕天柯尊斌房现阁
申请人 :
中锗科技有限公司
申请人地址 :
江苏省南京市溧水经济开发区中兴东路9号
代理机构 :
南京新慧恒诚知识产权代理有限公司
代理人 :
李晓静
优先权 :
CN201920708893.3
主分类号 :
G01R27/02
IPC分类号 :
G01R27/02 G01R1/04
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量;测试
G01R
测量电变量;测量磁变量
G01R27/00
测量电阻、电抗、阻抗或其派生特性的装置
G01R27/02
电阻、电抗、阻抗或其派生的其他两端特性,例如时间常数的实值或复值测量
法律状态
2020-04-17 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载