本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种单晶硅棒电阻率的测量方法及装置，针对目前为了确认硅片在客户的电阻率范围内，所需抽样的硅片较多，测试结果等待的周期较长等问题，现提出如下方案，其中单晶硅棒电阻率的测量方法包括以下步骤：S1：测量单晶硅棒头部硅片电阻率，S2：计算单晶硅棒头部硅片掺杂浓度，S3：计算，其装置包括测量模块、第一计算模块、获取模块，本发明的目的是通过公式计算出固定位置处单晶硅棒的电阻率，减少抽取的硅片数量，缩短了等待周期，同时利用处理器执行所述程序避免了人工计算的错误，提高了计算的精确度，采用多种公式进行计算，并对测量结果进行对比，提高了所述测量方法的可信度。