低电阻率重掺砷硅单晶的生产方法及生产系统
授权
摘要
本发明提供一种低电阻率重掺砷硅单晶的生产方法及生产系统，属于重掺杂硅单晶生产技术领域。方法通过调整低电阻率重掺砷硅单晶晶棒生产过程中，等径尾部及收尾端部的单晶生长速率、补偿温度、氩气流量，改善低电阻率重掺砷硅单晶的生产工艺，采用调整后的低电阻率重掺砷硅单晶的生产方法得到的重掺砷单晶硅晶棒，不仅电阻率能够满足要求，且晶棒尾部的晶变概率大幅度降低，实践表明，晶棒尾部的晶变概率由改善前的45%降低至5%以下，提高晶棒合格率，减少原料浪费，降低生产成本。
基本信息
专利标题 ：
低电阻率重掺砷硅单晶的生产方法及生产系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113564692A
申请号 ：
CN202110800323.9
公开（公告）日 ：
2021-10-29
申请日 ：
2021-07-15
授权号 ：
CN113564692B
授权日 ：
2022-05-17
发明人 ：
周文辉王忠保闫龙
申请人 ：
宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
申请人地址 ：
宁夏回族自治区银川市经济技术开发区光明西路28号
代理机构 ：
宁夏三源鑫知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
孙彦虎
优先权 ：
CN202110800323.9
主分类号 ：
C30B15/04
IPC分类号 ：
C30B15/04 C30B15/20 C30B29/06
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
C30B15/02
向熔融液中添加结晶化材料或添加反应过程中就地生成结晶化材料之反应物的
C30B15/04
添加掺杂材料，例如用于n-p结的
法律状态
2022-05-17 ：
授权
2021-11-16 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 15/04
申请日 : 20210715
申请日 : 20210715
2021-10-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
