一种改善区熔硅单晶电阻率均匀性的掺杂线圈
授权
摘要
本实用新型提供一种改善区熔硅单晶电阻率均匀性的掺杂线圈，包括线圈本体、冷却水管、铜管、十字切缝，所述线圈本体为中心带有线圈眼的圆环形结构，且表面开设有以所述线圈眼为中心的贯通上下表面的十字切缝，其中相比较其他三条切缝长的一条为主缝，所述主缝延伸至所述线圈本体外，与线圈本体外侧连接电极的法兰连接,所述冷却水管嵌入线圈本体的骨架内,所述铜管横向穿过冷却水管,且在线圈本体内部与另三个切缝一一对应的位置处设有吹气通槽。本实用新型的有益效果为：实现将掺杂气体直接输送到融化单晶处，且因为线圈水路降温的原因，气体不会在线圈内分解造成输送气体异常的情况，可实现对掺杂气体更高效的利用。
基本信息
专利标题 ：
一种改善区熔硅单晶电阻率均匀性的掺杂线圈
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021311464.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-07-07
授权号 ：
CN212955435U
授权日 ：
2021-04-13
发明人 ：
张志富王遵义刘凯吴磊李小龙陈玉桥程亚胜王彦君
申请人 ：
中环领先半导体材料有限公司;天津中环领先材料技术有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市宜兴经济技术开发区东氿大道
代理机构 ：
天津滨海科纬知识产权代理有限公司
代理人 ：
薛萌萌
优先权 ：
CN202021311464.1
主分类号 ：
C30B13/12
IPC分类号 ：
C30B13/12 C30B29/06
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B13/00
区域熔融法单晶生长；区域熔融法精炼
C30B13/08
熔融区中添加结晶化材料或添加在反应过程中就地生成结晶化材料之反应物的
C30B13/10
同时添加掺杂材料的
C30B13/12
以气态或气化态的
法律状态
2021-04-13 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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