一种基于MOS功率管的整流桥电路
授权
摘要
本实用新型涉及一种基于MOS功率管的整流桥电路，包括第一PMOS功率管、第二PMOS功率管、第三NMOS功率管、第四NMOS功率管、第一至第四分压电路、第一至第四单向导通电路。本实用新型通过MOS构建全桥整流器，不仅能适应不同极性输入，而且由于MOS导通阻抗小，还能有效降低整流桥的功率损失，降低散热要求。
基本信息
专利标题 ：
一种基于MOS功率管的整流桥电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920716503.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-05-17
授权号 ：
CN209896936U
授权日 ：
2020-01-03
发明人 ：
唐俊雄
申请人 ：
杭州涂鸦信息技术有限公司
申请人地址 ：
浙江省杭州市西湖区浙商财富中心3幢701室
代理机构 ：
广东君龙律师事务所
代理人 ：
丁建春
优先权 ：
CN201920716503.7
主分类号 ：
H02M7/219
IPC分类号 ：
H02M7/219
法律状态
2020-01-03 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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