左右对称式CVD系统
授权
摘要
本实用新型涉及一种左右对称式CVD系统，左放样腔体的右端部与连接管的左端部固定相连，连接管的右端部与右放样腔体的左端部固定相连，在连接管的外部设有左加热炉与右加热炉，在左放样腔体的左侧设有左滑块与左驱动器，左滑块由左驱动器驱动，在左滑块上固定有左送样杆，左送样杆伸入左放样腔体与连接管内，在右放样腔体右侧设有右滑块与右加热炉，右滑块由右加热炉驱动，在右滑块上固定有右送样杆，右送样杆伸入右放样腔体与连接管内。本实用新型具有结构简单、自动化程度高、工作效率高等优点；本实用新型实现了灵活进样。
基本信息
专利标题 ：
左右对称式CVD系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920788266.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-05-29
授权号 ：
CN210261994U
授权日 ：
2020-04-07
发明人 ：
孙正乾于葛亮唐阳王永慧
申请人 ：
无锡盈芯半导体科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市惠山区经济开发区堰新路311号才智广场1号楼
代理机构 ：
无锡市大为专利商标事务所(普通合伙)
代理人 ：
曹祖良
优先权 ：
CN201920788266.5
主分类号 ：
C23C16/54
IPC分类号 ：
C23C16/54
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/54
连续镀覆的专用设备
法律状态
2020-04-07 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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