一种基于半导体基片加工的环绕式加热筒体
专利权的终止
摘要
本实用新型提供一种基于半导体基片加工的环绕式加热筒体，包括筒体，加热管和载物盘；所述筒体螺丝拧接在外壳的顶面；所述加热管夹持固定在定位块和夹持块之间；所述载物盘过盈插接在夹持块的一侧。该装置的加热部件全部安装在筒体内，加热管为螺旋管形状，减少了热量的流失，加快了加热速率，且加热管为螺旋管形状，载物盘底部设有透孔，使得产生的热量能够360°的包围半导体基片，使得载物盘内的半导体基片受热更为均匀，提高了工作效率，解决了现有半导体加热装置加热不均匀和加热速率慢的问题。
基本信息
专利标题 ：
一种基于半导体基片加工的环绕式加热筒体
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920833724.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-06-04
授权号 ：
CN209691732U
授权日 ：
2019-11-26
发明人 ：
刘川
申请人 ：
刘川
申请人地址 ：
广东省广州市花都区镜湖大道28号D3栋1701房
代理机构 ：
北京君泊知识产权代理有限公司
代理人 ：
王程远
优先权 ：
CN201920833724.2
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2021-05-11 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 21/67
申请日 : 20190604
授权公告日 : 20191126
终止日期 : 20200604
申请日 : 20190604
授权公告日 : 20191126
终止日期 : 20200604
2019-11-26 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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