一种高散热插件二极管
授权
摘要
本实用新型涉及一种高散热插件二极管，包括第一铜导线段、第二铜导线段、平行置于第一铜导线段与第二铜导线段之间的半导体芯片以及用以封装半导体芯片、第一铜导线段和第二铜导线段的绝缘塑封体，所述第一铜导线段的前端部通过铅锡焊料与半导体芯片的输入端端面扁平式连接，所述第二铜导线段的后端部通过铅锡焊料与半导体芯片的输出端端面扁平式连接；本实用新型的有益效果为：1、通过将芯片平行于导线组装，相同的外形尺寸内可以放入更大尺寸的芯片，提高产品的额定功率；2、增加产品内部的铜导线面积，扩大芯片的散热面积，可以有效的降低产品失效率。
基本信息
专利标题 ：
一种高散热插件二极管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920916021.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-06-18
授权号 ：
CN209981205U
授权日 ：
2020-01-21
发明人 ：
任志红
申请人 ：
山东元捷电子科技有限公司
申请人地址 ：
山东省临沂市郯城县郯城高科技电子产业园
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN201920916021.6
主分类号 ：
H01L23/488
IPC分类号 ：
H01L23/488 H01L23/367 H01L29/861
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/48
用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置
H01L23/488
由焊接或黏结结构组成
法律状态
2020-01-21 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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