一种平衡热场的区熔线圈
专利申请权、专利权的转移
摘要
本实用新型提供了一种平衡热场的区熔线圈,包括线圈本体,所述线圈本体上表面的中心处向下设有一个环形槽,沿所述环形槽底部开口边缘处向下设有锥形槽,所述锥形槽的底端边缘处与线圈中心孔的边缘处连接在一起,且所述锥形槽的截面尺寸从上到下依次减小,所述线圈本体内部在环形槽的外围设有绕环形槽一圈的线圈水路,所述线圈水路在环形结构上对称设置有多个弧形的弯折部。本实用新型有益效果:在原有热场线圈结构的基础上,改变其内部循环水路走向,加大热场线圈循环水流量,在后期加工使用过程中能够根据水路走向改变线圈锯口位置,同时改变热场结构形状;通过改变线圈台阶结构,增加热场化料能力,达到拉晶过程中的热场稳定及线圈水温可控。
基本信息
专利标题 :
一种平衡热场的区熔线圈
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201920954908.4
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-06-24
授权号 :
CN210341121U
授权日 :
2020-04-17
发明人 :
刘琨郝大维楚占宾陈玉桥王克旭代常雷万静王遵义王聚安
申请人 :
天津中环领先材料技术有限公司
申请人地址 :
天津市滨海新区高新区华苑产业区(环外)海泰东路12号内
代理机构 :
天津滨海科纬知识产权代理有限公司
代理人 :
王耀云
优先权 :
CN201920954908.4
主分类号 :
C30B13/20
IPC分类号 :
C30B13/20 H05B6/36 H05B6/42
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B13/00
区域熔融法单晶生长;区域熔融法精炼
C30B13/16
熔融区的加热
C30B13/20
感应法,例如热线式法
法律状态
2022-05-20 :
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移IPC(主分类) : C30B 13/20
登记生效日 : 20220509
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 天津中环领先材料技术有限公司
变更后权利人 : 天津中环领先材料技术有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 300384 天津市滨海新区高新区华苑产业区(环外)海泰东路12号内
变更后权利人 : 300384 天津市滨海新区高新区华苑产业园区(环外)海泰东路12号
变更事项 : 专利权人
变更后权利人 : 中环领先半导体材料有限公司
登记生效日 : 20220509
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 天津中环领先材料技术有限公司
变更后权利人 : 天津中环领先材料技术有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 300384 天津市滨海新区高新区华苑产业区(环外)海泰东路12号内
变更后权利人 : 300384 天津市滨海新区高新区华苑产业园区(环外)海泰东路12号
变更事项 : 专利权人
变更后权利人 : 中环领先半导体材料有限公司
2020-04-17 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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