炉管装置
授权
摘要
本实用新型涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种炉管装置。所述炉管装置包括：反应腔室，由实心的壳体围绕而成，所述壳体包括朝向所述反应腔室一侧的内壁以及与所述内壁相对的外壁；通道，位于所述内壁与所述外壁之间的所述壳体中；气孔，位于所述内壁，所述通道与所述气孔连通，以将反应气体自外界传输至所述反应腔室。本实用新型确保了所述反应腔室内气体的均匀性，进而改善了晶圆表面生长的薄膜厚度的均匀性；同时，减少了所述炉管装置周期性维护的操作，降低了维护成本。
基本信息
专利标题 ：
炉管装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920961546.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-06-24
授权号 ：
CN209981182U
授权日 ：
2020-01-21
发明人 ：
李天涯陈伯廷吴宗祐林宗贤
申请人 ：
德淮半导体有限公司
申请人地址 ：
江苏省淮安市淮阴区长江东路599号
代理机构 ：
上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
孙佳胤
优先权 ：
CN201920961546.1
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67 H01L21/324
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2020-01-21 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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