一种基于隧道磁阻效应的MEMS微流速传感器

专利权的终止

摘要

本实用新型提出一种基于隧道磁阻效应的MEMS微流速传感器主要包括圆柱型硅毛发体、第一隧道磁阻传感器、第二隧道磁阻传感器、绝缘层和底层基座组成；其中，绝缘层位于底层基座的正上方，圆柱型硅毛发体安装在绝缘层的中心位置，第一隧道磁阻传感器和第二隧道磁阻传感器安装在绝缘层的两侧并关于圆柱型硅毛发体对称分布，圆柱型硅毛发体的顶部包含刻蚀的电磁激励线圈用于产生磁场。采用高灵敏度的隧道磁阻效应进行流速信号检测，具有饱和磁场低、工作磁场小、灵敏度高、温度系数小、测量带宽大等优点，同时提出的基于隧道磁阻效应的MEMS微流速传感器具有结构简单、体积小、灵敏度高、测量精度高等优点。

基本信息

专利标题：

一种基于隧道磁阻效应的MEMS微流速传感器

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN201920979954.X

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2019-06-27

授权号：

CN210572369U

授权日：

2020-05-19

发明人：

杨波梁卓玥张婷王斌龙

申请人：

东南大学

申请人地址：

江苏省南京市玄武区四牌楼2号

代理机构：

南京经纬专利商标代理有限公司

代理人：

许方

优先权：

CN201920979954.X

主分类号：

G01P5/08

IPC分类号：

G01P5/08 B81B3/00