N形微电子微连接深腔焊劈刀
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摘要
本实用新型公开了一种N形微电子微连接深腔焊劈刀，包括呈圆柱状的劈刀主体，该劈刀主体的一端为呈棱台状的焊接端，焊接端的端面上沿该劈刀主体的长度方向开设有台阶状的缺角，剩余所述焊接端的端面为焊接端面，焊接端面上设有球缺形通槽，所述劈刀主体的另一端面上沿该劈刀主体的长度方向朝劈刀主体内开设有呈柱形的第一穿丝孔，缺角与焊接端面未相邻的第一侧面上开设有与所述第一穿丝孔同轴且呈柱形的第二穿丝孔，劈刀主体内还设有连接第一穿丝孔和第二穿丝孔的过渡孔，过渡孔以中心轴线所在平面分隔成两个半环壁，本实用新型结构简单，设计合理，特别是过渡孔与第一穿丝孔和第二穿丝孔的配合使金丝能在两孔之间顺滑过渡，穿丝效果更好。
基本信息
专利标题 ：
N形微电子微连接深腔焊劈刀
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921006039.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-06-28
授权号 ：
CN210052714U
授权日 ：
2020-02-11
发明人 ：
杨强
申请人 ：
成都精蓉创科技有限公司
申请人地址 ：
四川省成都市武侯区玉林北街1号1栋2单元11层706号
代理机构 ：
成都环泰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
李斌
优先权 ：
CN201921006039.9
主分类号 ：
H01L21/48
IPC分类号 ：
H01L21/48
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/48
应用H01L21/06至H01L21/326中的单一小组都不包含的方法，在器件组装之前制造或处理部件，例如容器
法律状态
2020-02-11 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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