一种深腔键合劈刀
授权
摘要
本实用新型公开了一种适用于深腔芯片键合的深腔键合劈刀，涉及半导体封装技术领域，在刀柄内部沿中心轴线加工有过线孔，刀柄的前端加工有刀头，刀柄和刀头一体成型；刀头的端部加工有键合面、出线孔槽、引线通孔，键合面和出线孔槽位于刀头端部的端面，引线通孔倾斜加工在刀头端部内，键合面与引线通孔间的夹角范围为20度至75度，出线孔槽紧邻引线通孔。本实用新型通过在刀柄内部沿中心轴线加工有过线孔，在刀头内加工有引线通孔，线材通过过线孔和引线通孔可以使线材沿着设计的轨迹移动进而避免与框架侧壁的干涉影响。
基本信息
专利标题 ：
一种深腔键合劈刀
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020459853.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-04-01
授权号 ：
CN211879331U
授权日 ：
2020-11-06
发明人 ：
张旭刘星宇
申请人 ：
成都冶恒电子有限公司
申请人地址 ：
四川省成都市武侯区星狮路818号4栋3单元6层602号
代理机构 ：
成都厚为专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
刘贤科
优先权 ：
CN202020459853.2
主分类号 ：
H01L21/60
IPC分类号 ：
H01L21/60
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/50
应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的
H01L21/60
引线或其他导电构件的连接，用于工作时向或由器件传导电流
法律状态
2020-11-06 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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