一种芯片共晶焊接设备
授权
摘要

本发明公开了一种芯片共晶焊接设备,具体涉及芯片加工技术领域,包括底座和立柱,所述底座顶端的一侧固定连接有立柱,所述立柱的内部设置有调节机构,所述立柱的一侧固定连接有吸尘机构,所述立柱的另一侧设置有横杆。本发明通过设置有滑槽、调节块、吸盘、挡板和中心轴,传统的焊接装置对芯片进行夹持固定的时候容易造成芯片边角受损,利用在用于加工的工作台的顶端安装若干组吸盘,将芯片放置在吸盘的顶端然后向下轻轻压动,芯片就可以稳定的放置在吸盘上,还可以根据不同芯片的宽度来调节中心轴外部的挡板之间的角度,利用移动调节块即可对挡板的角度进行调节,这样固定芯片可以避免硬物夹持芯片造成的边角损坏的情况。

基本信息
专利标题 :
一种芯片共晶焊接设备
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN112599432A
申请号 :
CN202011489045.1
公开(公告)日 :
2021-04-02
申请日 :
2020-12-16
授权号 :
CN112599432B
授权日 :
2022-04-01
发明人 :
周德金马君健徐宏钟磊刘宗伟于理科
申请人 :
无锡英诺赛思科技有限公司
申请人地址 :
江苏省无锡市滨湖区建筑西路777号A3幢4层406
代理机构 :
北京智宇正信知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
李明卓
优先权 :
CN202011489045.1
主分类号 :
H01L21/60
IPC分类号 :
H01L21/60  H01L21/683  H01L21/687  B08B1/00  B08B5/04  
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件,例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/50
应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的
H01L21/60
引线或其他导电构件的连接,用于工作时向或由器件传导电流
法律状态
2022-04-01 :
授权
2021-04-23 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/60
申请日 : 20201216
2021-04-02 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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