一种倒装LED芯片的共晶电极结构
授权
摘要
本实用新型公开了一种倒装LED芯片的共晶电极结构，包括自上而下依次设置的Ti金属层、Ni金属层或Ni合金层、Au金属层、以及SnAu基合金层，所述SnAu基合金层由n层Sn金属层和n层Au金属层周期性交错设置形成，其中，n≥6。本实用新型中的Ti金属层形成良好的欧姆接触并粘附在芯片上；Ni金属层或Ni合金层能够作为抗锡渗透的阻挡层；Au金属层用于连接Ni金属层或Ni合金层与SnAu基合金层；SnAu基合金层作为焊接层，其为多周期结构能够避免锡膏向下渗透至芯片；可见，本实用新型通过Ti金属层、Ni金属层或Ni合金层、Au金属层、以及SnAu基合金层的复合设计，能够提高电极的抗锡渗透性，且电极的内部结构牢固。
基本信息
专利标题 ：
一种倒装LED芯片的共晶电极结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202120537786.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-03-15
授权号 ：
CN216213516U
授权日 ：
2022-04-05
发明人 ：
郝锐易翰翔李玉珠张洪安武杰
申请人 ：
广东德力光电有限公司
申请人地址 ：
广东省江门市江海区彩虹路1号
代理机构 ：
广州三环专利商标代理有限公司
代理人 ：
颜希文
优先权 ：
CN202120537786.6
主分类号 ：
H01L33/40
IPC分类号 ：
H01L33/40 H01L33/38
法律状态
2022-04-05 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
