基于高温共烧陶瓷的毫米波芯片倒装BGA封装结构
授权
摘要
本实用新型公开了一种基于高温共烧陶瓷的毫米波芯片倒装BGA封装结构，属于毫米波BGA封装技术领域，它包含芯片、导电胶、键合金丝、高温共烧陶瓷外壳、金属热沉、BGA锡球以及金属盖板等。本实用新型结合高温共烧陶瓷高密度布线及BGA的高密度I/O接口，实现多芯片小型化封装，并解决了高温共烧陶瓷BGA封装的散热问题，有利于提高封装长期使用的可靠性。
基本信息
专利标题 ：
基于高温共烧陶瓷的毫米波芯片倒装BGA封装结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022542745.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-11-05
授权号 ：
CN213583746U
授权日 ：
2021-06-29
发明人 ：
刘帅张凯
申请人 ：
中电天奥有限公司
申请人地址 ：
四川省成都市双流区成都芯谷产业园区集中区内
代理机构 ：
成都知集市专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
魏光武
优先权 ：
CN202022542745.4
主分类号 ：
H01L23/31
IPC分类号 ：
H01L23/31 H01L23/498 H01L23/367
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/28
封装，例如密封层、涂覆物
H01L23/31
按配置特点进行区分的
法律状态
2021-06-29 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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