一种管座芯片共晶装置
授权
摘要
本实用新型公开了一种管座芯片共晶装置，包括底座、共晶台和控制系统，所述共晶台下方设有加热座，加热座内设有加热棒，用于加热共晶台，还包括氮气加热装置、TO管座定位夹取装置和顶杆定位装置；所述TO管座定位夹取装置包括管座吸嘴、手指夹片、导轨滑块和气缸，所述手指夹片固定在导轨滑块两侧，通过气缸实现水平移动，所述管座吸嘴设置于手指夹片中间，通过吸嘴安装座固定，并连接气管接头，外接气源；所述氮气加热装置设置于共晶台一侧，包括氮气加热组件和共晶台罩。本实用新型解决了现有多次夹取造成管座表面划痕多而深的问题。且在共晶台上方设置氮气加热装置，保证共晶温度的稳定性，共晶效果好，管座芯片共晶成品达到品质要求。
基本信息
专利标题 ：
一种管座芯片共晶装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122761013.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-11-12
授权号 ：
CN216354121U
授权日 ：
2022-04-19
发明人 ：
俞韶军范思雨步晨嘉付昭辉
申请人 ：
浙江辛帝亚自动化科技有限公司
申请人地址 ：
浙江省嘉兴市海宁市海宁经济开发区双富路28号D座6楼
代理机构 ：
浙江杭州金通专利事务所有限公司
代理人 ：
王丽丹
优先权 ：
CN202122761013.9
主分类号 ：
H01L21/68
IPC分类号 ：
H01L21/68 H01L21/683 H01L21/687 H01L21/67 H01L21/52
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21/68
用于定位、定向或对准的
法律状态
2022-04-19 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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