微波芯片共晶焊接平台
授权
摘要
本实用新型提供了一种微波芯片共晶焊接平台，属于芯片封装技术领域，微波芯片共晶焊接平台包括壳体、加热平台以及工作平台；壳体的顶端开放；加热平台设于壳体的内部，用于与外部电源电连接；工作平台设于壳体的内部，且底面与加热平台的顶面贴合；工作平台的顶面设有多个工作区域，多个工作区域分别用于贴放不同尺寸的金属载体；其中，多个工作区域内分别设有用于与真空泵管路连通的真空吸附孔，真空吸附孔用于吸附金属载体，且各个工作区域内的真空吸附孔的孔径与金属载体的贴放面尺寸成正比。本实用新型提供的微波芯片共晶焊接平台能够吸附固定不同尺寸的金属载体，从而适用于不同型号的微波芯片进行焊接作业。
基本信息
专利标题 ：
微波芯片共晶焊接平台
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021014465.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-06-05
授权号 ：
CN211788921U
授权日 ：
2020-10-27
发明人 ：
王伟强汪蔚魏泽超刘健李旭浩
申请人 ：
河北美泰电子科技有限公司
申请人地址 ：
河北省石家庄市昌盛大街21号B10厂房美泰公司
代理机构 ：
石家庄国为知识产权事务所
代理人 ：
王朝
优先权 ：
CN202021014465.X
主分类号 ：
H01L21/60
IPC分类号 ：
H01L21/60
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/50
应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的
H01L21/60
引线或其他导电构件的连接，用于工作时向或由器件传导电流
法律状态
2020-10-27 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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