用于半导体芯片焊接的密封腔体及真空共晶炉
实质审查的生效
摘要
本发明涉及半导体芯片焊接技术领域，尤其是一种用于半导体芯片焊接的密封腔体及真空共晶炉，包括：上腔体；下腔体，与上腔体相对设置，所述上腔体和下腔体在闭合时彼此之间形成密封腔；载板组件，配置在密封腔内，用于放置芯片，载板组件的上方和下方均配置有用于对其辐射加热的加热组件；以及冷却组件，具有用于通入冷却液对载板组件进行冷却的冷却管，本发明采用在载板组件的上下分别设置加热组件，对其进行非接触式辐射加热，给芯片和载板提供了高效快捷的加热及均匀的温度分布，同时采用冷却管嵌入载板组件，直接接触冷却，使芯片冷却速度大大提高，在功率一定的前提下，同时兼顾了加热与冷却性能。
基本信息
专利标题 ：
用于半导体芯片焊接的密封腔体及真空共晶炉
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114520196A
申请号 ：
CN202210227790.1
公开（公告）日 ：
2022-05-20
申请日 ：
2022-03-08
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
戚国强潘兵刘元杨友志许建磊
申请人 ：
快克智能装备股份有限公司
申请人地址 ：
江苏省常州市武进高新技术产业开发区凤翔路11号
代理机构 ：
常州市英诺创信专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
李楠
优先权 ：
CN202210227790.1
主分类号 ：
H01L23/04
IPC分类号 ：
H01L23/04 H01L23/10 H01L23/12 H01L23/34 H01L23/367 H01L21/67
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/02
容器；封接
H01L23/04
按外形区分的
法律状态
2022-06-07 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/04
申请日 : 20220308
申请日 : 20220308
2022-05-20 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
