一种用于多芯片金锡非共晶焊接的封装管壳
授权
摘要
本实用新型公开了一种用于多芯片金锡非共晶焊接的封装管壳，包括由氧化铝陶瓷或氮化铝陶瓷构成封装管壳的基底层，该基底层热导率为15W/(m·K)‑240W/(m·K)，所述基底层表面形成有金属化层，该金属化层表面形成有用于防止熔融状态下的吸金导致金锡组分发生偏移的隔离膜层，所述隔离膜层表面预制金锡焊料层。本实用新型用于半导体光电子器件的封装焊接，其基底层采用氧化铝陶瓷或氮化铝陶瓷，并结合金属化层，不仅具有传统金锡合金膜可焊性好、附着性高、组分稳定、外观好等特点，同时通过隔离膜层的设置，使得在芯片非共晶焊接300s时间内，可以实现多区域金锡焊料预制区域上金锡焊料保持熔融状态。
基本信息
专利标题 ：
一种用于多芯片金锡非共晶焊接的封装管壳
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920760312.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-05-24
授权号 ：
CN210040168U
授权日 ：
2020-02-07
发明人 ：
夏旻飞王凤李凯亮
申请人 ：
合肥圣达电子科技实业有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市高新区香樟大道206号西5幢西8幢
代理机构 ：
合肥天明专利事务所(普通合伙)
代理人 ：
娄岳
优先权 ：
CN201920760312.0
主分类号 ：
H01L23/043
IPC分类号 ：
H01L23/043 H01L23/498 H01L33/62 H01L33/48
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/02
容器；封接
H01L23/04
按外形区分的
H01L23/043
中空容器，并有用于半导体本体的引线以及作为安装架的导电基座
法律状态
2020-02-07 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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