一种适用于金属深腔外壳的键合劈刀
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摘要
一种适用于金属深腔外壳的键合劈刀，属于集成电路组装领域。所述键合劈刀包括：劈刀柱子、新劈刀圆柱型尖端结构、穿丝孔、劈刀尖端、新劈刀圆面。所述劈刀柱子与所述新劈刀圆柱型尖端结构为一体化；所述穿丝孔位于新劈刀圆柱型尖端结构下端靠近所述劈刀尖端的位置；所述新劈刀圆柱型尖端结构沿轴向呈四面结构，其中一组对面呈平面形，另一组对面呈圆柱型，所述新劈刀圆柱型尖端结构一组圆柱型面的宽度大于另一组平面形面的宽度，使得劈刀尖端截面呈一组对边呈圆弧的长方形形状。解决了现有金属深腔外壳的键合系统中键合劈刀与外壳内腔壁干涉卡住，键合劈刀无法再继续下降，造成键合失败的问题。广泛应用于金属深腔外壳的芯片键合领域。
基本信息
专利标题 ：
一种适用于金属深腔外壳的键合劈刀
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202123181837.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-12-17
授权号 ：
CN216597506U
授权日 ：
2022-05-24
发明人 ：
李阳张超超王加燕谌帅业蔡景洋商登辉吕璐龙紫娴
申请人 ：
贵州振华风光半导体股份有限公司
申请人地址 ：
贵州省贵阳市乌当区新添大道北段238号
代理机构 ：
贵阳中工知识产权代理事务所
代理人 ：
刘安宁
优先权 ：
CN202123181837.5
主分类号 ：
H01L21/60
IPC分类号 ：
H01L21/60
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/50
应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的
H01L21/60
引线或其他导电构件的连接，用于工作时向或由器件传导电流
法律状态
2022-05-24 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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