一种真空反应室内温度侦测系统
授权
摘要
本实用新型公开了一种真空反应室内温度侦测系统，包括传送室压力模块和外部逻辑控制器模块，所述传送室压力模块的输出端为外部逻辑控制器模块，所述Back反应室温控器信号的输出端为外部逻辑控制器模块，所述瓦特龙温控器信号模块的输出端为外部逻辑控制器模块，所述传送室压力模块、Back反应室温控器信号和瓦特龙温控器信号模块的输出端均接入至外部逻辑控制器模块中，所述外部逻辑控制器模块的输出端为继电器模块，所述继电器模块的输出端为输出开关，按照Eurotherm温控器报警模块和瓦特龙温控器报警模块所对应的温度标准进行警报，这样的设置，在检测晶圆进入反应室之后进行温度过高或过低的检测，在检测时机台测漏不会触发错误报警。
基本信息
专利标题 ：
一种真空反应室内温度侦测系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921105573.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-07-15
授权号 ：
CN210535628U
授权日 ：
2020-05-15
发明人 ：
王浩明陈永萍张广德
申请人 ：
苏州子山半导体科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市工业园区唯新路69号一能科技园5幢102室
代理机构 ：
苏州国卓知识产权代理有限公司
代理人 ：
薛芳芳
优先权 ：
CN201921105573.5
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67 G05B19/042
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2020-05-15 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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