谐振腔式ECR等离子体源装置

授权

摘要

本实用新型公开了一种谐振腔式ECR等离子体源装置，本实用新型技术方案在真空谐振腔内设置以天线密封罩，将辐射微波的天线置于该天线密封罩内，可以避免放电天线对所述真空谐振腔内ECR等离子体污染。可以通过所述ECR控制元件调节电子回旋共振所需磁场大小，进一步增加电子密度。本实用新型技术方案所述装置具有结构简单、电磁波‑等离子体能量耦合效率高的优点，可以产生电子密度高达10¹²cm^‑3量级的等离子体。

基本信息

专利标题：

谐振腔式ECR等离子体源装置

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN201921134276.3

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2019-07-18

授权号：

CN211792198U

授权日：

2020-10-27

发明人：

刘宇张仲恺雷久侯曹金祥

申请人：

中国科学技术大学

申请人地址：

安徽省合肥市包河区金寨路96号

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司

代理人：

张静

优先权：

CN201921134276.3

主分类号：

H05H1/46

IPC分类号：

H05H1/46

法律状态

2020-10-27 ：

授权

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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