芯片、输入输出结构和垫层

专利申请权、专利权的转移

摘要

本实用新型涉及一种芯片、输入输出结构和垫层，所述垫层包括沿靠近芯片器件的方向依次设置的第一金属层、第二金属层组和第三金属层组；所述第二金属层组包括相互独立的导通区、输入输出电源区和输入输出地区，所述导通区分别通过通孔层与所述第一金属层和所述第三金属层组连接，所述第一金属层与封装框架连接，所述第三金属层组、所述输入输出电源区和所述输入输出地区分别与芯片内的防静电MOS场效应管连通。输入输出电源区和输入输出地区被释放出来，分别形成电源和地的走线，减小电源和地的电阻，增强了防静电MOS场效应管的泄放通路，提升输入输出结构的防静电能力；减化了垫层设计，减小了输入输出结构的面积，极大地提高了芯片的封装便捷性。

基本信息

专利标题：

芯片、输入输出结构和垫层

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN201921138190.8

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2019-07-18

授权号：

CN210200711U

授权日：

2020-03-27

发明人：

谢育桦殷慧萍张永光王聪聂玉庆

申请人：

珠海格力电器股份有限公司

申请人地址：

广东省珠海市前山金鸡西路

代理机构：

北京华夏泰和知识产权代理有限公司

代理人：

孟德栋

优先权：

CN201921138190.8

主分类号：

H01L23/48

IPC分类号：

H01L23/48 H01L23/488 H01L23/60